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MRAM替换nvSRAM的一般注意事项

供稿: 2020/4/10 15:30:27

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  • 摘要:每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元,也没有外部电容器或备用电池。

用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM

用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项

321影音每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元,也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件,高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间,使Everspin MRAM成为替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行选择,而不会影响系统性能。

EVERSPIN内存

Everspin是商业上可行的MRAM技术的全球领导者,Everspin MRAM产品出现在数百个需要高速,可靠,非易失性存储器的应用中。

MR2A16A与CY14B104NA的比较

321影音Everspin MRAM解决方案提供:

•始终非易失。没有不可靠的电容器相关备用周期

•不需要Vcap或Vbatt

•立即断电(<1ns),无数据丢失

321影音•没有复杂的软件存储/调用例程

•快速启动时间(2ms和20ms)

•无限的读写周期-无磨损问题

•20年数据保留,无循环依赖

•更少的组件意味着更小的设计尺寸和更低的BOM成本

321影音•直接替代赛普拉斯NV-SRAM

兼容性

Everspin MR2A16AxYS35(44-TSOP2)和MR2A16AxMA35(FBGA)存储器的引脚,时序和封装分别与CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。

时序兼容性

Everspin MRAM和nvSRAM都具有标准的兼容异步SRAM时序。但是MRAM即使在断电后无限制的时间和整个温度循环中也可以保留数据。 MRAM具有35 ns的读/写周期时间,与类似的nvSRAM速度等级选项兼容。

请务必注意,Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持时间,从写使能(和芯片使能)高到地址无效。大多数微处理器可以容纳这个保持时间。

审核编辑(王静)
更多内容请访问 英尚微电子()

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